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DRAMeXchange 指出，2010年9月下旬主流 NAND Flash 合约价受季底效应影响下跌约1-10%，但各家供货商因其客户及订单状况不同，故定价策略也有所差异。9月下旬记忆卡及 UFD 客户因零售市场需求平淡，且来自中国部份通路的10月长假回补需求也呈现递减，在较高库存水位的考虑下，一些记忆卡客户在3Q季底结帐前的采购意愿并不太高，总计9月NAND合约价跌1~10%，市场期待10月反弹。

此外，而部份供货商因记忆卡的客层比重较高，为协助客户近期的促销活动以刺激记忆卡及UFD的零售市场买气，因此9月下旬仍持续调降部份合约价来提振客户采购意愿及降低其季底的库存，但部份供货商因仍掌握较多系统产品客户的长单或9月上旬已调降过部份产品价格，因此在9月下旬仅小幅调降部份产品的价格或维持平盘。

预期短期内NAND Flash市场仍将持续受到以下几项因素影响：

1. 感恩节及圣诞节年终假期前一些系统产品客户，将陆续推出搭配较高NAND Flash储存容量的新型智能手机及平板电脑，将有助于缓解记忆卡及UFD客户相对平淡的4Q10采购需求。

2. 多数NAND Flash供货商的3xnm & 2xnm新制程及TLC的产出量将在4Q10持续增加，但有些供货商也考虑可能稍微放缓产出成长来因应1H淡季的影响。

3. 部份NAND Flash供货商已在9月份持续显着地调降合约价来刺激3Q季底下游客户买气，且他们也预期10月中到11月初下游客户的年终假期备货需求将会回温，因此我们预期短期内NAND Flash价格在市场观望气氛下，将呈现相对稳定或部份缓跌的状况。